化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜
来源期刊：材料导报2009年第14期
论文作者：孟祥钦 王兵 甘孔银 王玉乾
关键词：微波等离子体; 化学气相沉积; 超纳米金刚石薄膜; microwave plasma; CVD; ultrananocrystalline diamond film;
摘 要：采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜.表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm,表面粗糙度约15.72nm,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料.
孟祥钦1，王兵1，甘孔银2，王玉乾1
(1.西南科技大学材料学院,绵阳,621010;
2.中国工程物理研究院应用电子学研究所,绵阳,621900)
摘要:采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜.表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm,表面粗糙度约15.72nm,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料.
关键词:微波等离子体; 化学气相沉积; 超纳米金刚石薄膜; microwave plasma; CVD; ultrananocrystalline diamond film;
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