电镀法制备的CoNiMnP永磁薄膜
来源期刊：磁性材料及器件2003年第1期
论文作者：蒋洪川 张文旭 彭斌 张万里 杨仕清 张金平
关键词：CoNiMnP永磁薄膜; 电镀; 垂直各向异性; 微结构; 磁性能;
摘 要：采用电镀法制备了与微电子CMOS工艺兼容的硅基CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜,并对该薄膜的微结构、组成、磁性能等进行了分析与测试.结果表明,在室温、pH值3～4、电流密度小于10mA/cm2的条件下,能够获得性能良好的垂直各向异性CoNiMnP永磁薄膜,薄膜的组成(质量分数)为:Co 90.32%、Ni 7.83%、Mn 0.74%、P 1.11%,垂直薄膜方向磁性能为:Hc=59.7kA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3kJ/m3;平行薄膜方向磁性能为:Hc=27.8kA/m,Br=0.42T,(BH)max=3.2kJ/m3.
蒋洪川1，张文旭1，彭斌1，张万里1，杨仕清1，张金平1
(1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054)
摘要:采用电镀法制备了与微电子CMOS工艺兼容的硅基CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜,并对该薄膜的微结构、组成、磁性能等进行了分析与测试.结果表明,在室温、pH值3～4、电流密度小于10mA/cm2的条件下,能够获得性能良好的垂直各向异性CoNiMnP永磁薄膜,薄膜的组成(质量分数)为:Co 90.32%、Ni 7.83%、Mn 0.74%、P 1.11%,垂直薄膜方向磁性能为:Hc=59.7kA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3kJ/m3;平行薄膜方向磁性能为:Hc=27.8kA/m,Br=0.42T,(BH)max=3.2kJ/m3.
关键词:CoNiMnP永磁薄膜; 电镀; 垂直各向异性; 微结构; 磁性能;
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