异质结太阳能电池的仿真模拟研究和界面态密度对效率的影响

来源期刊：材料导报2019年第S2期

论文作者：周理想 黄仕华 吴锋民

文章页码：28 - 31

关键词：异质结;太阳能电池;模拟;功函数;缺陷密度;

摘    要：大量文献已经报道非晶硅/晶体硅异质结电池每层材料的参数对电池的影响,如厚度、掺杂浓度等,但是并没有进一步给出透明导电氧化物薄膜TCO的功函数对电池的影响以及如何选择合适的TCO,也很少有报道界面态密度对异质结太阳能电池的影响机理。本研究表明,对于n型单晶硅片为衬底的异质结电池,发射场的TCO功函数越大越好,最佳范围是5.4～6.3 eV。对于背场的TCO功函数越小越好,最佳范围是3.6～4.0 eV。另外研究表明,对于n型衬底的非晶硅/晶体硅异质结电池(HIT电池),与衬底背面与非晶硅的界面态(Dit2)相比,衬底前表面与非晶硅的界面态(Dit1)是影响电池性能的主要因素,并且Dit1和Dit2态中,与类施主态相比,对电池效率起到主要影响作用的都是类受主态。