Si0.75Ge0.25虚衬底上应变补偿Si/Si0.62Ge0.38量子阱发光
来源期刊：材料科学与工程学报2009年第1期
论文作者：廖凌宏 周志文 李成 陈松岩 赖虹凯 余金中 王启明
文章页码：146 - 149
关键词：低维无机非金属材料;量子阱;光致发光谱;弛豫缓冲层;
摘 要：由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-xGex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-yGey（y>x）量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上。在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层（虚衬底）,表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%。在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性。
廖凌宏1，周志文1，李成1，陈松岩1，赖虹凯1，余金中2，王启明2
1. 厦门大学物理系2. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
摘 要：由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-xGex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-yGey（y>x）量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上。在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层（虚衬底）,表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%。在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性。
关键词：低维无机非金属材料;量子阱;光致发光谱;弛豫缓冲层;
