N型Bi2Te2.5Se0.5热电薄膜的电阻率与膜厚和温度的关系
来源期刊：材料科学与工程学报2007年第6期
论文作者：朱文 肖承京 杨君友 段兴凯
关键词：电阻率; Bi2Te2.5Se0.5薄膜; 瞬间蒸发法; electrical resistivity; Bi2Te2.5Se0.5 thin film; flash evaporation;
摘 要：在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50-400nm的N型Bi2.5Se0.5热电薄膜,沉积温度为473K.采用XRD、EDXA和FESEM技术分别对薄膜的相结构、组成和表面形貌进行了分析研究,在300-350K的温度范围内,研究了薄膜的电阻率与膜厚和温度的相互关系.
朱文1，肖承京1，杨君友1，段兴凯1
(1.华中科技大学材料科学与工程学院材料成形与模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074)
摘要:在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50-400nm的N型Bi2.5Se0.5热电薄膜,沉积温度为473K.采用XRD、EDXA和FESEM技术分别对薄膜的相结构、组成和表面形貌进行了分析研究,在300-350K的温度范围内,研究了薄膜的电阻率与膜厚和温度的相互关系.
关键词:电阻率; Bi2Te2.5Se0.5薄膜; 瞬间蒸发法; electrical resistivity; Bi2Te2.5Se0.5 thin film; flash evaporation;
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