熔凝玻璃薄膜的形成及其C-V特性
来源期刊：稀有金属2001年第3期
论文作者：张英兰 王宗昌 孙颖 童茂松 戴国瑞
关键词：玻璃薄膜; 电泳涂覆; 结构分析; C-V特性;
摘 要：报道了在成功地研制彩色电视机用的高反压大功率晶体管钝化玻璃粉的基础上，摸索了采用电泳涂覆技术以形成一定厚度的高质量熔凝玻璃薄膜的方法，用差热分析 (DTA)技术确定了玻璃粉的软化温度、烧结温度分别为 590 和 680℃。用X射线衍射(XRD) 和光电子能谱(XPS) 对薄膜的物相和组份进行了分析，同时，将熔凝玻璃薄膜做成金属-绝缘体-半导体 (MIS) 结构，对样品进行了 C-V 特性测量，固定电荷密度为 1.4×1010 cm-2，可动离子数为 1.2×1011 cm-2。
张英兰1，王宗昌1，孙颖1，童茂松1，戴国瑞1
(1.吉林大学电子工程系,)
摘要:报道了在成功地研制彩色电视机用的高反压大功率晶体管钝化玻璃粉的基础上，摸索了采用电泳涂覆技术以形成一定厚度的高质量熔凝玻璃薄膜的方法，用差热分析 (DTA)技术确定了玻璃粉的软化温度、烧结温度分别为 590 和 680℃。用X射线衍射(XRD) 和光电子能谱(XPS) 对薄膜的物相和组份进行了分析，同时，将熔凝玻璃薄膜做成金属-绝缘体-半导体 (MIS) 结构，对样品进行了 C-V 特性测量，固定电荷密度为 1.4×1010 cm-2，可动离子数为 1.2×1011 cm-2。
关键词:玻璃薄膜; 电泳涂覆; 结构分析; C-V特性;
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