碲基复合薄膜在纳米尺度下的电学特性研究

甘平^1,2，辜敏¹，卿胜兰¹，鲜晓东³

1. 重庆大学煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室,复杂煤气层瓦斯抽采国家地方联合工程实验室2. 重庆大学通信工程学院3. 重庆大学自动化学院

摘 要：分别采用AFM和原子力/扫描探针显微镜（AFM/SPM）在纳米尺度下对碲基复合（Te/TeO2-SiO2）薄膜的表面电势、电容梯度等电学特性进行测量。测试结果表明控制电压为-0.8V,反应时间为200s条件下制备的碲基复合薄膜的表面电势差达到700mV,相对介电常数小于以硅为主要成分的衬底相对介电常数。利用光谱分析,碲基复合薄膜的禁带宽度约为3.14eV。

关键词：碲基复合薄膜;原子力/扫描探针显微镜;表面电势;电容梯度;