PECVD沉积和原位退火时间对h-BN薄膜组成及光学带隙的影响

来源期刊：无机材料学报2014年第7期

论文作者：秦毅 赵婷 王波 杨建锋

文章页码：729 - 734

关键词：h-BN薄膜;沉积时间;退火时间;光学带隙;

摘    要：采用射频等离子增强化学气相沉积设备,以高纯N2和B2H6为气源,制备了系列h-BN薄膜,得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下,研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明:在衬底温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下,沉积时间对h-BN薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响,且光学带隙与膜厚呈指数关系变化。700℃原位退火不同时间对h-BN薄膜的结晶质量有所影响,而物相和光学带隙基本没有改变。