P型(掺硼)晶硅太阳电池的光衰减机制和技术改进措施
来源期刊：功能材料2003年第4期
论文作者：赵玉文
关键词：P型(掺硼)c-Si太阳电池; 光衰减; 退火处理; 少子寿命;
摘 要：介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz-Si和mc-Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果.通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在.同时介绍了减小或避免衰减的技术措施.
赵玉文1
(1.北京太阳能研究所,北京,100083)
摘要:介绍了近年来对掺硼晶硅(Cz-Si和mc-Si)太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果.通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究,表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在.同时介绍了减小或避免衰减的技术措施.
关键词:P型(掺硼)c-Si太阳电池; 光衰减; 退火处理; 少子寿命;
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