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磁控溅射碳化硅薄膜生长的热力学讨论

来源期刊：功能材料与器件学报2001年第3期

论文作者：王文秀何大韧汪颖梅史兴建姚合宝贺庆丽

关键词：β－C3N4; 磁控溅射; 热力学模型;

摘要：提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－C3N4,P－C3N4或－(C2N2)n－的最可能表面反应,然后通过求解这个热力学模型计算了生长参量空间中不同类型薄膜淀积区域的分界线。这些结果与一些实验结果很好地符合。

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王文秀¹，何大韧²，汪颖梅¹，史兴建¹，姚合宝¹，贺庆丽²

(1.扬州大学复杂性科学研究中心,;
2.西北大学物理系,)

摘要:提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－C3N4,P－C3N4或－(C2N2)n－的最可能表面反应,然后通过求解这个热力学模型计算了生长参量空间中不同类型薄膜淀积区域的分界线。这些结果与一些实验结果很好地符合。

关键词:β－C3N4; 磁控溅射; 热力学模型;

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