反应磁控溅射制备SnO₂薄膜及其微观形貌与光致发光性能研究

姚宏燚¹，袁志钟¹，熊志高¹，翟艺璇¹，李东升²

1. 江苏大学材料科学与工程学院2. 浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室

摘 要：利用反应磁控溅射法（RMS）制备了SnO₂薄膜,并研究了溅射参数对薄膜微观结构和光学性能的影响。结果表明,随着溅射气压、氧分压的增大和衬底温度的升高,薄膜沉积速率相应减小;在不同衬底温度下（室温至600℃）溅射薄膜时,较高的衬底温度可得到较大的SnO₂晶粒,表面更为粗糙;此外,将原生SnO₂薄膜在O₂气氛下退火可以改善其结晶度,原本的柱状结构转变成致密的薄膜结构,其光学禁带宽度变宽至3.85eV;经过退火的SnO₂薄膜的光致发光（PL）强度显著增强,位于约610nm的PL发光峰主要是源于SnO₂纳米晶体表面悬挂键的未饱和电子态。

关键词：SnO2薄膜;反应磁控溅射;光致发光;光学禁带;