新型电子转移复合物Cu-TCNQ(C2H4 COOCH3)2的制备及其薄膜的绿光可擦重写光存储性能的研究
来源期刊：功能材料2004年第3期
论文作者：吴谊群 黄伍桥 干福熹 顾冬红
关键词：CuTCNQ脂类衍生物旋涂膜; 可擦重写性能; 高密度光存储;
摘 要：报道了高溶解性能的电子转移复合物铜-(2,5-二丙酸甲酯-7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷);并对其紫外可见光光谱进行了研究.用旋涂工艺制备了Cu-TCNQ(C2H4COOCH3)2薄膜,并对该薄膜的可擦重写光存储性能及其机理进行了研究.短波长(514.5nm)静态可擦重写光存储性能测试结果表明:在写入功率为9mW,写入脉冲为80ns,擦除功率为4mW,擦除脉冲为500ns时反射率对比度＞15%(无反射膜),循环次数可达110次以上,并且没有出现任何疲劳现象.
吴谊群1，黄伍桥1，干福熹1，顾冬红1
(1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800)
摘要:报道了高溶解性能的电子转移复合物铜-(2,5-二丙酸甲酯-7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷);并对其紫外可见光光谱进行了研究.用旋涂工艺制备了Cu-TCNQ(C2H4COOCH3)2薄膜,并对该薄膜的可擦重写光存储性能及其机理进行了研究.短波长(514.5nm)静态可擦重写光存储性能测试结果表明:在写入功率为9mW,写入脉冲为80ns,擦除功率为4mW,擦除脉冲为500ns时反射率对比度＞15%(无反射膜),循环次数可达110次以上,并且没有出现任何疲劳现象.
关键词:CuTCNQ脂类衍生物旋涂膜; 可擦重写性能; 高密度光存储;
【全文内容正在添加中】
