CVD-SiC涂层的C/C-SiC复合材料的抗烧蚀性能

王玲玲^1,2，张玲^1,2，嵇阿琳^1,2，崔红^1,2，闫联生^1,2

1. 西安航天复合材料研究所2. 高性能碳纤维制造及应用国家地方联合工程研究中心

摘 要：采用CVD法,1 050℃在三维针刺C/C-SiC复合材料表面制备SiC涂层,研究稀释气体与载气流量比分别为4∶1和2∶1制备条件下涂层的晶体结构、表面和断面的微观形貌,对比了涂层前后C/C-SiC复合材料的抗烧蚀性能。结果表明:稀释气体流量降低其制备的SiC涂层更加平整致密,与基体结合程度更好,沉积产物均为单一的β-SiC结晶相。在600 s的氧化烧蚀下,两种流量比条件下制备CVD-SiC涂层的C/C-SiC复合材料的线烧蚀率比未涂层的分别降低34%和50%,质量烧蚀率分别降低70%和75%,抗氧化烧蚀性能明显提高。

关键词：C/C-SiC复合材料;SiC涂层;抗烧蚀性能;