高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：李永军 张锋刚 张素梅 刘建军 石家纬 齐丽云 胡贵军 李红岩
关键词：高功率; 单量子阱; 远结半导体激光器; 老化;
摘 要：通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为.初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力.
李永军1，张锋刚1，张素梅1，刘建军1，石家纬1，齐丽云1，胡贵军1，李红岩1
(1.吉林大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春130023)
摘要:通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为.初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力.
关键词:高功率; 单量子阱; 远结半导体激光器; 老化;
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