退火温度对Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/P-Si异质结微观结构与性能的影响
来源期刊：无机材料学报2008年第4期
论文作者：王华 任明放
关键词：退火温度; SrBi2Ta2O9; Bi4Ti3O12; 异质结;
摘 要：采用sol-gel 工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响.研究表明:成膜温度较低时, SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜,但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强;经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性,且回滞窗口随退火温度升高而增大,经700°C退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V;在550～700°C范围内,Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/P-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降,当退火温度超过650°C后漏电流密度明显增大,经650°C退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值.
王华1，任明放1
(1.桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林,541004)
摘要:采用sol-gel 工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响.研究表明:成膜温度较低时, SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜,但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强;经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性,且回滞窗口随退火温度升高而增大,经700°C退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V;在550～700°C范围内,Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/P-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降,当退火温度超过650°C后漏电流密度明显增大,经650°C退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值.
关键词:退火温度; SrBi2Ta2O9; Bi4Ti3O12; 异质结;
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