简介概要

离子注入对高质量4H-SiC外延片ESR谱的影响

来源期刊：兵器材料科学与工程2015年第6期

论文作者：程萍郝建民

文章页码：45 - 47

关键词：4H-SiC;离子注入;本征缺陷;

摘要：利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-Si C外延片中本征缺陷ESR谱的影响。结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本征缺陷种类发生变化;Si+注入使样品中本征缺陷浓度降低约61%,而C+注入使本征缺陷浓度降低达63%以上。

详情信息展示

程萍¹，郝建民²

1. 宁波大红鹰学院2. 中电集团第46研究所

关键词：4H-SiC;离子注入;本征缺陷;