反应磁控溅射制备的Cr-N薄膜的成相行为
来源期刊：金属功能材料2004年第4期
论文作者：於元炯 赵韦人 伍锦添 李鸣楚
关键词：反应磁控溅射; Cr-N薄膜; X射线衍射; 相;
摘 要：采用反应磁控溅射在不锈钢衬底上制备Cr-N薄膜,并研究了基片温度、氮气分压和溅射功率变化对薄膜相组成的影响.结果表明,基片温度升高使薄膜由单一的CrN相变成CrN和Cr2N两相共存,同时使有效的沉积速率下降;在基片温度为373K、溅射功率约45W时,氮气和氩气流量比在1:4到3:2的范围内变化时,薄膜的相组成几乎没有明显的变化;过高的溅射功率使薄膜以非晶态的形式存在.热处理后的Cr-N薄膜通常有CrN和Cr2N两相共存.
於元炯1，赵韦人2，伍锦添2，李鸣楚2
(1.浙江师范大学物理系,浙江,金华,321004;
2.汕头大学应用物理系,广东,汕头,515063)
摘要:采用反应磁控溅射在不锈钢衬底上制备Cr-N薄膜,并研究了基片温度、氮气分压和溅射功率变化对薄膜相组成的影响.结果表明,基片温度升高使薄膜由单一的CrN相变成CrN和Cr2N两相共存,同时使有效的沉积速率下降;在基片温度为373K、溅射功率约45W时,氮气和氩气流量比在1:4到3:2的范围内变化时,薄膜的相组成几乎没有明显的变化;过高的溅射功率使薄膜以非晶态的形式存在.热处理后的Cr-N薄膜通常有CrN和Cr2N两相共存.
关键词:反应磁控溅射; Cr-N薄膜; X射线衍射; 相;
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