不同应力下的InxGa1-xAs薄膜表面形貌
来源期刊：材料导报2015年第2期
论文作者：郭祥 王一 魏文喆 黄梦雅 赵振 王继红 胡明哲 丁召
文章页码：21 - 60
关键词：MBE;InGaAs;表面形貌;
摘 要：利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分的InGaAs呈现不同的表面形貌。虽然生长的初始表面都是原子级平坦,但是由于晶格常数差异触发不同类型的表面应力,促使In0.14Ga0.86As/GaAs薄膜中台阶边缘平滑扭曲,而在In0.86Ga0.14As/InAs薄膜表面台阶却呈锯齿状;同时,由于不同类型表面应力的作用,低In组分薄膜形成更多的二维(2D)岛。
郭祥，王一，魏文喆，黄梦雅，赵振，王继红，胡明哲，丁召
贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
摘 要：利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控InGaAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长In0.86Ga0.14As,在GaAs(001)基片上生长In0.14Ga0.86As(厚度均为20原子层)单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后的InGaAs样品进行扫描,发现不同组分的InGaAs呈现不同的表面形貌。虽然生长的初始表面都是原子级平坦,但是由于晶格常数差异触发不同类型的表面应力,促使In0.14Ga0.86As/GaAs薄膜中台阶边缘平滑扭曲,而在In0.86Ga0.14As/InAs薄膜表面台阶却呈锯齿状;同时,由于不同类型表面应力的作用,低In组分薄膜形成更多的二维(2D)岛。
关键词：MBE;InGaAs;表面形貌;
