磁控溅射法制备Zn_1-xCo_xO薄膜的磁性能

来源期刊：材料科学与工程学报2009年第5期

论文作者：林文松 欧阳辰鑫 何亮 王伟

文章页码：701 - 703

关键词：磁控溅射;稀磁半导体;Zn1-xCoxO;磁性;

摘    要：采用磁控溅射工艺,在玻璃基片上制备了Zn1-xCoxO（x=0.02⁰.15）稀磁半导体薄膜。采用X-射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）、振动样品磁强计（VSM）研究了薄膜的相结构、化学成分及价态、表面形貌和磁性能。结果表明,本实验条件下,薄膜不存在Co及Co的氧化物相,薄膜中Zn的化学价为+2,Co则以+2和+4价的形式存在;薄膜晶体结构为c轴取向生长的六方纤锌矿结构;薄膜表面平整致密。在温度为300 K时,Zn0.9Co0.1O薄膜呈铁磁效应,在M-H曲线中观测到明显的磁滞回线特征。