不同工艺下取向硅钢超薄带中Goss织构取向分析

张静¹，李莉¹，贾志伟¹，庞树芳¹，张海利¹，游清雷²，杨平³，蒋奇武²

1. 鞍钢钢铁研究院2. 鞍钢股份有限公司3. 北京科技大学材料科学与工程学院

摘 要：采用"初次再结晶法"和"二次再结晶法"制备了0.10 mm和0.05 mm取向硅钢超薄带,研究了两种制备方法下高斯织构形成规律的差异;考察了"初次再结晶法"中退火时间对织构和磁性能的影响;分析了"二次再结晶法"板厚对二次再结晶的影响。结果表明,"初次再结晶法"所形成的高斯织构是单晶高斯取向晶粒的形变再结晶行为,随着退火时间的延长,强偏转立方取向逐渐被高斯取向所取代;采用"二次再结晶法"制备0.05 mm及以下厚度取向硅钢超薄带时,二次再结晶难以发生。

关键词：取向硅钢超薄带;初次再结晶;二次再结晶;Goss织构;