修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜的光电性能

来源期刊：功能材料2010年第9期

论文作者：郑华靖 蒋亚东 徐建华 杨亚杰

文章页码：1501 - 1506

关键词：PEDOT;LB膜法;光电性能;测量;

摘    要：采用修饰LB膜法以二十烷酸（AA）LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩（EDOT）单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜。UV-Vis、FT-IR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;XRR和SIMS分析表明薄膜具有较好的层状有序结构,进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性,这可能与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关;采用四探针仪及半导体测试仪研究了薄膜导电性能,发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变,这与多层膜中导电通道的"渝渗"有关,在有效导电网络连通后电导率发生了突变。测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和ODA-SA/PEDOT-PSS复合膜,这是由于原位制备的PEDOT共轭度较高,且薄膜具有很好的层状有序结构。