Si3N4薄膜的表面微观特性
来源期刊：功能材料2001年第3期
论文作者：丁振峰 任兆杏 陈俊芳 王德秋 吴先球
关键词：氮化硅:薄膜表面平整度; 沉积温度;
摘 要：利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;在不同的工艺条件下制备了Si3N4薄膜;由STM和Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面微观特性,分析了沉积温度对ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜表面平整度特性影响的物理机理;结果表明ECR-PECVD制备的薄膜是一种表面均匀致密的纳米Si3N4薄膜.
丁振峰1，任兆杏1，陈俊芳2，王德秋2，吴先球2
(1.中国科学院,等离子体物理研究所,;
2.华南师范大学,物理系,)
摘要:利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;在不同的工艺条件下制备了Si3N4薄膜;由STM和Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面微观特性,分析了沉积温度对ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜表面平整度特性影响的物理机理;结果表明ECR-PECVD制备的薄膜是一种表面均匀致密的纳米Si3N4薄膜.
关键词:氮化硅:薄膜表面平整度; 沉积温度;
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