插入Bi层对NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀多层膜交换耦合的影响
来源期刊：金属学报2002年第6期
论文作者：姜宏伟 赖武彦 李明华 于广华 朱逢吾
关键词：层间偏聚; 交换耦合场; 表面活化原子Bi; XPS;
摘 要：对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.
姜宏伟1，赖武彦1，李明华2，于广华3，朱逢吾3
(1.中国科学院物理研究所,北京,100080;
2.北京科技大学材料物理系,北京,100083；中国科学院物理研究所,北京,100080;
3.北京科技大学材料物理系,北京,100083)
摘要:对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.
关键词:层间偏聚; 交换耦合场; 表面活化原子Bi; XPS;
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