高频高直流叠加Mn-Zn铁氧体DMR50B材料研制

何时金¹，刘亚丕²

(1.横店集团,东磁有限公司博士后科研工作站,浙江东阳,322118;
2.中国计量学院,材料科学与工程学院,浙江杭州,310018)

摘要:随着电子设备的小型化,现代高频电子技术需要使用高直流叠加和低功耗的MnZn软磁铁氧体材料.在DMR50材料的基础上,用传统的陶瓷法制备了可使用至3MHz、具有更低功耗、极优直流叠加特性的DMR50B铁氧体材料.通过对成份、掺杂、制备工艺及微结构的优化,其磁性能也得到了进一步提升.在3 MHz, 10 mT和100℃时材料的功耗在200 kW/m3 左右,在700 kHz, 30 mT和100℃时只有20 kW/m3左右.其截止频率fr在4 MHz左右,并且在HDC=100A/m时其增量磁导率((仍保持不变.另外,也研究了这种DMR50B新材料的各种电磁特性及微结构.

关键词:Mn-Zn铁氧体; 直流叠加; 高频; 低功耗; 截止频率;

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