ITO薄膜直流反应磁控溅射制备及性能研究
来源期刊：材料导报2005年第11期
论文作者：夏冬林 赵修建 杨晟 王树林
关键词：直流磁控反应溅射法; ITO; 薄膜; 光电性能;
摘 要：以90wt%In和10wt%Sn铟锡合金为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备ITO透明导电薄膜.用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD和SEM分别测试了ITO薄膜的紫外-可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌.研究了氧分压对ITO薄膜性能的影响.实验结果表明,ITO薄膜随着氧分压的增加,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带向短波长方向漂移.随着氧分压的增大,ITO薄膜的方块电阻增加,结晶程度变好,晶粒尺寸变大.
夏冬林1，赵修建1，杨晟1，王树林2
(1.武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;
2.武汉工程大学材料科学与工程学院,武汉,430073)
摘要:以90wt%In和10wt%Sn铟锡合金为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备ITO透明导电薄膜.用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD和SEM分别测试了ITO薄膜的紫外-可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌.研究了氧分压对ITO薄膜性能的影响.实验结果表明,ITO薄膜随着氧分压的增加,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带向短波长方向漂移.随着氧分压的增大,ITO薄膜的方块电阻增加,结晶程度变好,晶粒尺寸变大.
关键词:直流磁控反应溅射法; ITO; 薄膜; 光电性能;
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