氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究
来源期刊：材料科学与工程学报2002年第4期
论文作者：郝天亮 董博 赵高凌 翁文剑 杜丕一 沈鸽 韩高荣 张溪文 祁英昆
关键词：氮化硼; 热丝辅助等离子体增强化学气相沉积; 紫外吸收; 衬底预处理;
摘 要：本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法(HF-PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料.用X射线衍射(XRD和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成,用扫描电镜(SEM)观察了薄膜样品的表面形态,用紫外一可见光分光光度计(UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征,并确认薄膜样品的光学能隙.此外,本文还探讨了衬底的超声预处理在薄膜材料生长中所起的作用.
郝天亮1，董博1，赵高凌1，翁文剑1，杜丕一1，沈鸽1，韩高荣1，张溪文1，祁英昆1
(1.浙江大学材料系,硅材料科学国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
摘要:本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法(HF-PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料.用X射线衍射(XRD和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成,用扫描电镜(SEM)观察了薄膜样品的表面形态,用紫外一可见光分光光度计(UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征,并确认薄膜样品的光学能隙.此外,本文还探讨了衬底的超声预处理在薄膜材料生长中所起的作用.
关键词:氮化硼; 热丝辅助等离子体增强化学气相沉积; 紫外吸收; 衬底预处理;
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