半导体材料分析
来源期刊：分析试验室1988年第Z1期
论文作者：蔡绍勤
文章页码：121 - 138
摘 要：本文综述了我国1982—1987年半导体材料分析的进展,也反映了国外在此期间该领域的主要工作。内容包括概述、沾污控制和分析方法。主要评述化学光谱、原子吸收、活化分析、质谱分析、电化学分析、光度分析以及气体分析等方法在半导体材料分析领域的应用概况。引用文献529篇。
蔡绍勤
北京有色金属研究总院
摘 要：本文综述了我国1982—1987年半导体材料分析的进展,也反映了国外在此期间该领域的主要工作。内容包括概述、沾污控制和分析方法。主要评述化学光谱、原子吸收、活化分析、质谱分析、电化学分析、光度分析以及气体分析等方法在半导体材料分析领域的应用概况。引用文献529篇。
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