基于相变存储器的相变存储材料的研究进展
来源期刊：材料导报2009年第15期
论文作者：姚熹 翟继卫 汪昌州
关键词：相变存储器; 相变存储材料; Ge2Sb2Te5;
摘 要：相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器.简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变材料存储性能的优化、存储机理以及面临的关键问题等方面的最新研究成果,最后展望了相变存储材料的研究和发展趋势.
姚熹1，翟继卫1，汪昌州1
(1.同济大学功能材料研究所,上海,200092)
摘要:相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器.简要介绍了相变存储材料的工作原理和对相变存储材料的性能要求,综述了近年来国内外在相变材料存储性能的优化、存储机理以及面临的关键问题等方面的最新研究成果,最后展望了相变存储材料的研究和发展趋势.
关键词:相变存储器; 相变存储材料; Ge2Sb2Te5;
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