Pb(Hf0.3Ti0.7)O3铁电薄膜的制备与性能研究
来源期刊：功能材料2014年第24期
论文作者：林亚丽 朱俊 吴智鹏 刘兴鹏 吴诗捷 李俊峰
文章页码：24091 - 24094
关键词：Pb(Hf0.3Ti0.7)O3;铁电薄膜;脉冲激光沉积;微观结构;电学性能;
摘 要：采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3Ti0.7)O3(PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能。研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向;PHT薄膜矫顽场(2Ec)为390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为53.1μC/cm2,经1.5×109次翻转后剩余极化强度保持85%;PHT薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540。PHT薄膜有望应用于铁电随机存储器。
林亚丽，朱俊，吴智鹏，刘兴鹏，吴诗捷，李俊峰
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
摘 要：采用脉冲激光沉积方法在不同温度下生长Pb(Hf0.3Ti0.7)O3(PHT)铁电薄膜,利用各种表征手段测试并分析薄膜的微观结构和电性能。研究表明,生长温度为400℃沉积的PHT薄膜具有良好的(111)择优取向;PHT薄膜矫顽场(2Ec)为390 kV/cm,剩余极化强度(2Pr)为53.1μC/cm2,经1.5×109次翻转后剩余极化强度保持85%;PHT薄膜绝缘性能良好,相对介电常数约为540。PHT薄膜有望应用于铁电随机存储器。
关键词：Pb(Hf0.3Ti0.7)O3;铁电薄膜;脉冲激光沉积;微观结构;电学性能;
