SOI的自加热效应与SOI新结构的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2002年第2期
论文作者：谢欣云 张苗 林成鲁 朱鸣 林青
关键词：自加热效应; 沟道电流; 跨导畸变; 负微分迁移率; SOI新结构;
摘 要：阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等.结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展.
谢欣云1，张苗1，林成鲁1，朱鸣1，林青1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050)
摘要:阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等.结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展.
关键词:自加热效应; 沟道电流; 跨导畸变; 负微分迁移率; SOI新结构;
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