钼屏发射率对泡生法蓝宝石单晶生长影响的数值模拟研究

来源期刊：材料导报2013年第16期

论文作者：韩江山 左然 苏文佳 季尚司

文章页码：143 - 295

关键词：泡生法;蓝宝石;数值模拟;发射率;

摘    要：泡生法蓝宝石单晶生长过程中,由于生长周期长、温度高,热场中钼屏的物理性质和形状都会发生变化,从而引起炉内温场的变化。通过计算机数值模拟,研究了钼屏发射率发生变化时,泡生法蓝宝石单晶生长中温场、流场的变化。模拟结果表明:随钼屏发射率增加,消耗功率也不断增加;在放肩阶段熔体等温线向下移动,流场也从2个涡流逐渐变成1个涡流;而在等径阶段和收尾阶段,这些变化都不明显。