γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应

李锋锐¹，顾牡¹，何徽²，畅里华²，温伟峰²，李泽仁²，陈亮³，刘金良³，欧阳晓平³，刘小林¹，刘波¹，黄世明¹，倪晨¹

1. 同济大学物理科学与工程学院上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室2. 中国工程物理研究院流体物理研究所3. 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

摘 要：采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 e V的γ-CuI晶体。在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带。经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰。使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰（带）的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级。X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当EX<49.1 ke V时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高。

关键词：γ-CuI晶体;超快闪烁体;衰减时间;能量响应;