定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究
来源期刊:材料导报2005年增刊第2期
论文作者:颜晓红 郭建 林铁军 丁书龙 宣凯
关键词:半导体材料; 气相生长; 化学气相沉积;
摘 要:用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.
颜晓红1,郭建1,林铁军1,丁书龙1,宣凯1
(1.湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭,411105)
摘要:用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.
关键词:半导体材料; 气相生长; 化学气相沉积;
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