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定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究

来源期刊:材料导报2005年增刊第2期

论文作者:颜晓红 郭建 林铁军 丁书龙 宣凯

关键词:半导体材料; 气相生长; 化学气相沉积;

摘    要:用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.

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定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究

颜晓红1,郭建1,林铁军1,丁书龙1,宣凯1

(1.湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭,411105)

摘要:用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.

关键词:半导体材料; 气相生长; 化学气相沉积;

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