快淬低纯Gd5Si2Ge2合金的结构和磁熵变
来源期刊：功能材料2005年第4期
论文作者：张铁邦 涂铭旌 付浩 唐永柏 陈云贵
关键词：磁致冷材料; 磁熵变; 快淬; Gd5Si2Ge2合金;
摘 要：采用纯度为99%的低纯稀土金属Gd经电弧炉熔炼获得Gd5Si2Ge2母合金,然后通过快淬研究快淬工艺对低纯Gd5Si2Ge2合金结构与磁熵变的影响.粉末衍射结构分析表明,铸态Gd5Si2Ge2合金由Gd5Si2Ge2相、Gd5(Si、Ge)3相和Gd(Si、Ge)相所组成;而甩带速度为25、40m/s的合金均为Gd5Si4型正交相.用最小二乘法计算得两种不同快淬速度合金的晶格常数没有明显差异.甩带速度为40m/s的Gd5Si2Ge2合金的居里温度(Tc＝305K)在室温区间,等温磁熵变为7.25J/kg·K(0～5T).
张铁邦1，涂铭旌1，付浩1，唐永柏1，陈云贵1
(1.四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都,610065)
摘要:采用纯度为99%的低纯稀土金属Gd经电弧炉熔炼获得Gd5Si2Ge2母合金,然后通过快淬研究快淬工艺对低纯Gd5Si2Ge2合金结构与磁熵变的影响.粉末衍射结构分析表明,铸态Gd5Si2Ge2合金由Gd5Si2Ge2相、Gd5(Si、Ge)3相和Gd(Si、Ge)相所组成;而甩带速度为25、40m/s的合金均为Gd5Si4型正交相.用最小二乘法计算得两种不同快淬速度合金的晶格常数没有明显差异.甩带速度为40m/s的Gd5Si2Ge2合金的居里温度(Tc＝305K)在室温区间,等温磁熵变为7.25J/kg·K(0～5T).
关键词:磁致冷材料; 磁熵变; 快淬; Gd5Si2Ge2合金;
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