脉冲激光沉积技术制备IrO2薄膜的研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2006年第5期
论文作者：王传彬 张联盟 沈强 夏明祥 公衍生
关键词：氧化铱薄膜; 脉冲激光沉积; 电阻率;
摘 要：利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制得了导电氧化铱(IrO2)薄膜.讨论了沉积参数(O2分压、衬底温度)对IrO2薄膜的结构、表面形貌和导电性的影响.结果表明:20 Pa为最佳O2分压、400℃～500℃为适宜的沉积温度,此条件下制得的IrO2薄膜结晶完整,组织均匀、形状一致,排列致密,其最低电阻率约为42μΩ·cm.
王传彬1，张联盟1，沈强1，夏明祥1，公衍生1
(1.武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070)
摘要:利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制得了导电氧化铱(IrO2)薄膜.讨论了沉积参数(O2分压、衬底温度)对IrO2薄膜的结构、表面形貌和导电性的影响.结果表明:20 Pa为最佳O2分压、400℃～500℃为适宜的沉积温度,此条件下制得的IrO2薄膜结晶完整,组织均匀、形状一致,排列致密,其最低电阻率约为42μΩ·cm.
关键词:氧化铱薄膜; 脉冲激光沉积; 电阻率;
【全文内容正在添加中】
