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AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积

来源期刊：功能材料2005年第12期

论文作者：陈韬门传玲朱自强丁艳芳林成鲁

关键词：AlN薄膜; KrF准分子脉冲激光沉积; 微结构;

摘要：研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质.结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构.随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升.AlN晶粒呈柱状生长机制.

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陈韬¹，门传玲²，朱自强¹，丁艳芳¹，林成鲁²

(1.华东师范大学,信息学院,上海,200062;
2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050)

摘要:研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质.结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构.随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升.AlN晶粒呈柱状生长机制.

关键词:AlN薄膜; KrF准分子脉冲激光沉积; 微结构;

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