柔性聚酰亚胺(PI)衬底上ITO薄膜的生长及其透明导电性能影响机制研究

赵佳明¹，边继明¹，孙景昌²，张东¹，梁红伟¹，骆英民¹

1. 大连理工大学物理与光电工程学院2. 辽宁师范大学物理与电子技术学院

摘 要：采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺（PI）柔性衬底上生长氧化铟锡（ITO）薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射（XRD）、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征。结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO薄膜透明导电性能的主要因素,实验系统研究了溅射功率和沉积气压对ITO薄膜透明导电性能的影响机制。在优化的工艺条件下（溅射功率100W和沉积气压0.4Pa）,制备了在可见光区平均透射率达86%、电阻率为3.1×10-4Ω.cm的光电性能优良的ITO透明导电薄膜。

关键词：磁控溅射;聚酰亚胺(PI);柔性衬底;ITO透明导电膜;