用密度泛函理论研究汞在CeO2（111）表面的吸附
来源期刊：材料科学与工程学报2017年第4期
论文作者：陆玉 张秋香 周小亮 陆洪彬 许琦
文章页码：559 - 1137
关键词：汞;CeO2(111)表面;密度泛函理论;吸附;
摘 要：采用密度泛函理论计算了Hg、HgCl、HgCl2在CeO2（111）表面的吸附构型、吸附能和态密度。结果表明,Hg在CeO2（111）表面属于弱化学吸附。HgCl与CeO2（111）表面为强化学吸附,是反应的重要中间体。HgCl2在CeO2（111）表面是物理吸附,易发生解离,脱除。氯对于汞的吸附和氧化产生较强的影响,这与实验结果相一致。基于计算结果,得到汞在CeO2（111）表面的反应机理。
陆玉1，张秋香1，周小亮1，陆洪彬1，许琦2
1. 南京大学南通材料工程技术研究院2. 盐城工学院化学与生物工程学院
摘 要：采用密度泛函理论计算了Hg、HgCl、HgCl2在CeO2（111）表面的吸附构型、吸附能和态密度。结果表明,Hg在CeO2（111）表面属于弱化学吸附。HgCl与CeO2（111）表面为强化学吸附,是反应的重要中间体。HgCl2在CeO2（111）表面是物理吸附,易发生解离,脱除。氯对于汞的吸附和氧化产生较强的影响,这与实验结果相一致。基于计算结果,得到汞在CeO2（111）表面的反应机理。
关键词：汞;CeO2(111)表面;密度泛函理论;吸附;
