PECVD SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第1期
论文作者：张锦文 田大宇 金玉丰 吕知秋 王颖 李婷 陈治宇
关键词：驻极体; SiO2/Si3N4双层膜; PECVD;
摘 要：本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能.针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地.通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化.本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中.
张锦文1，田大宇1，金玉丰1，吕知秋1，王颖1，李婷1，陈治宇1
(1.北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871)
摘要:本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能.针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地.通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化.本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中.
关键词:驻极体; SiO2/Si3N4双层膜; PECVD;
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