简介概要

GaAs霍尔元件不等位电势的调制消除

来源期刊：功能材料与器件学报2004年第4期

论文作者：夏冠群胡少坚冯明

关键词：霍尔效应; 磁传感器; 不等位电势;

摘要：测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电势进行了静态和动态调制消除.实验结果表明 GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制在可以忽略的范围内.

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夏冠群¹，胡少坚¹，冯明¹

(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039)

摘要:测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电势进行了静态和动态调制消除.实验结果表明 GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制在可以忽略的范围内.

关键词:霍尔效应; 磁传感器; 不等位电势;

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