Pentcene/SiO2表面随温度变化的AFM研究
来源期刊:功能材料2008年第6期
论文作者:张福甲 张旭辉 陶春兰 董茂军
关键词:pentcene/SiO2; AFM; 表面形貌;
摘 要:以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜.用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素.
张福甲1,张旭辉1,陶春兰1,董茂军1
(1.兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000)
摘要:以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜.用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素.
关键词:pentcene/SiO2; AFM; 表面形貌;
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