Sb掺杂SnO₂基NTC热敏陶瓷的制备与电学特性

来源期刊：材料科学与工程学报2012年第2期

论文作者：李根 陈景超 胡湛 刘超峰 李志成 张鸿

文章页码：197 - 201

关键词：锑掺杂氧化锡;化学合成;助烧剂;导电性;电阻负温度系数;

摘    要：采用湿化学法制备了锑掺杂氧化锡Sn1-xSbxO2-δ（ATO,x=0.003、0.005、0.007和0.01）粉体材料,并以Li2O-TiO2为助烧剂,用传统烧结工艺制得ATO陶瓷。利用X射线衍射分析了材料的相组成,扫描电子显微镜观察陶瓷的微观结构,通过电阻-温度特性测试仪和交流阻抗谱研究了ATO陶瓷导电性随温度的变化。结果表明,ATO材料具有四方晶体结构;1200℃烧结获得致密度为95%以上的陶瓷试样。该陶瓷材料呈现典型的电阻负温度系数效应。利用能带理论和电子跃迁模型讨论了ATO陶瓷的导电机理。