疏水型PA6/SiO2有机无机杂化材料的制备及性能
来源期刊：高分子材料科学与工程2008年第6期
论文作者：程继海 周星星 戴静 王华林 左金平
关键词：制备; 疏水型; 尼龙6/二氧化硅(PA6/SiO2)杂化材料;
摘 要：以正硅酸乙酯(TEOS)、甲基三乙氧基硅烷(MTES)和己内酰胺(CPL)为原料,采用原位阴离子开环聚合法,制备了疏水型PA6/SiO2有机无机杂化材料.PA6/SiO2有机无机杂化材料表面外的Si-CH3基团赋予了材料优异的疏水性能.随着硅溶胶含量(SiO2%,质量分数)的提高,接触角θ增大,当SiO2%大于8.5时,接触角θ增大不明显,并最终稳定在130°左右.红外图谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示,硅溶胶的羟基和未完全水解的烷氧基能够与PA6的前驱体发生杂化反应.X射线衍射结果显示,采用本实验方法制备出的PA6和疏水型PA6/SiO2有机无机杂化材均为α晶型,而DSC结果表明,PA6/SiO2有机无机杂化材料的熔点略高于PA6.
程继海1，周星星1，戴静1，王华林1，左金平1
(1.合肥工业大学化工学院;
2.农产品生物化工教育部工程研究中心,安徽,合肥,230009)
摘要:以正硅酸乙酯(TEOS)、甲基三乙氧基硅烷(MTES)和己内酰胺(CPL)为原料,采用原位阴离子开环聚合法,制备了疏水型PA6/SiO2有机无机杂化材料.PA6/SiO2有机无机杂化材料表面外的Si-CH3基团赋予了材料优异的疏水性能.随着硅溶胶含量(SiO2%,质量分数)的提高,接触角θ增大,当SiO2%大于8.5时,接触角θ增大不明显,并最终稳定在130°左右.红外图谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示,硅溶胶的羟基和未完全水解的烷氧基能够与PA6的前驱体发生杂化反应.X射线衍射结果显示,采用本实验方法制备出的PA6和疏水型PA6/SiO2有机无机杂化材均为α晶型,而DSC结果表明,PA6/SiO2有机无机杂化材料的熔点略高于PA6.
关键词:制备; 疏水型; 尼龙6/二氧化硅(PA6/SiO2)杂化材料;
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