总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型

来源期刊：功能材料与器件学报2010年第4期

论文作者：贺威 张正选

文章页码：403 - 406

关键词：埋氧层;绝缘体上硅;总剂量辐射效应;模型;背栅;

摘    要：SOI(绝缘体上硅)器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响。模拟数据和试验数据具有很好的一致性。