RIE对巨磁电阻自旋阀磁性能的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第3期
论文作者：刘华瑞 刘理天 李志坚 库万军 任天令 曲炳郡
关键词：巨磁电阻; RIE; 自旋阀;
摘 要：对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究.自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/Ta(4nm),刻蚀气体为氢氯碳氟化合物(HCFC:Hydro-chloro-fluoro-carbon),气体流量为10.5sccm,RF功率为180W,时间为27min.结果表明:RIE技术可以加工出理想的巨磁电阻自旋阀薄膜图形,且加工过程对自旋阀的磁性能影响不大,这些结果对于巨磁电阻自旋阀型集成磁传感器的批量制作具有积极意义.
刘华瑞1，刘理天1，李志坚1，库万军2，任天令1，曲炳郡1
(1.清华大学微电子学研究所,北京,100084;
2.深圳华夏磁电子公司,深圳,518081)
摘要:对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究.自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/Ta(4nm),刻蚀气体为氢氯碳氟化合物(HCFC:Hydro-chloro-fluoro-carbon),气体流量为10.5sccm,RF功率为180W,时间为27min.结果表明:RIE技术可以加工出理想的巨磁电阻自旋阀薄膜图形,且加工过程对自旋阀的磁性能影响不大,这些结果对于巨磁电阻自旋阀型集成磁传感器的批量制作具有积极意义.
关键词:巨磁电阻; RIE; 自旋阀;
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