InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结构
来源期刊：功能材料2005年第9期
论文作者：李美成 赵连城 邱永鑫
关键词：应变层超晶格; InAs/GaInSb; 界面结构; 分子束外延;
摘 要：介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象.同时,总结了分子束外延生长过程中控制InAs/GaInSb超晶格界面结构的生长工艺,指出采用原子迁移增强(MEE)外延生长技术,可以有效地抑制界面处原子的置换和扩散现象.
李美成1，赵连城1，邱永鑫1
(1.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001)
摘要:介绍了InAs/GaInSb应变层超晶格材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象.同时,总结了分子束外延生长过程中控制InAs/GaInSb超晶格界面结构的生长工艺,指出采用原子迁移增强(MEE)外延生长技术,可以有效地抑制界面处原子的置换和扩散现象.
关键词:应变层超晶格; InAs/GaInSb; 界面结构; 分子束外延;
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