湿法刻蚀对ZnO∶Al透明导电薄膜结构与性能的影响

来源期刊：材料导报2012年第10期

论文作者：杨玲 许积文 王华 江民红 袁昌来

文章页码：58 - 60

关键词：ZAO薄膜;透明导电;湿法刻蚀;

摘    要：室温下通过直流磁控溅射Al2O3掺杂3%(质量分数)的ZnO靶材制备了厚度约1μm、结晶度高、表面平整光滑的ZnO∶Al透明导电薄膜。研究盐酸、王水和草酸溶液对ZnO∶Al薄膜的湿化学刻蚀行为,分析刻蚀对薄膜微观结构、光刻图案、电学和光学性能的影响。结果表明,刻蚀对薄膜的结晶取向性无影响;经盐酸、王水和草酸刻蚀后薄膜的电阻率略有增大,从7.4mΩ.cm分别增大到8.7mΩ.cm、8.8mΩ.cm和8.6mΩ.cm;透光率略有下降,从80%分别下降到76%、77%和78%。0.5%的盐酸刻蚀可以获得结构良好的陷光结构。薄膜在盐酸中刻蚀速率快,易产生浮胶;在草酸中刻蚀图案清晰,但存在残留;在王水中刻蚀图案清晰且无残留。