简介概要

高阻硅掩膜选择性生长多孔硅阵列

来源期刊：功能材料与器件学报2004年第1期

论文作者：朱建中郁可陈少强朱自强王伟明邵丽

关键词：多孔硅阵列; 选择性生长; 高阻硅掩膜;

摘要：介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程.结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好.

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朱建中¹，郁可¹，陈少强¹，朱自强¹，王伟明¹，邵丽¹

(1.华东师范大学电子系,上海,200062)

摘要:介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜,用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程.结果证明,用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果,生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好.

关键词:多孔硅阵列; 选择性生长; 高阻硅掩膜;

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