固溶处理对NiTi薄膜中位错密度的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2004年第11期
论文作者：孟繁玲 王煜明 李永华 郑伟涛 高忠民
关键词：NiTi薄膜; 位错密度; X射线傅氏线形分析; 固溶处理;
摘 要：用磁控溅射法将NiTi薄膜沉积在纯Cu箔片上,在800℃分别固溶30 min,45 min,60min和120 min;采用X射线傅氏线形分析法计算各固溶时间的位错密度及位错分布参量.随固溶时间的增加,平均位错密度不断下降;亚晶粒尺寸D逐渐增加;平均位错分布参量基本不变.由位错密度及位错分布参量计算得到NiTi薄膜材料的显微硬度值,随固溶时间的增加,显微硬度计算值明显低于测量值.
孟繁玲1，王煜明1，李永华1，郑伟涛1，高忠民1
(1.吉林大学,吉林,长春,130023;
2.东北大学秦皇岛分校,河北,秦皇岛,066004)
摘要:用磁控溅射法将NiTi薄膜沉积在纯Cu箔片上,在800℃分别固溶30 min,45 min,60min和120 min;采用X射线傅氏线形分析法计算各固溶时间的位错密度及位错分布参量.随固溶时间的增加,平均位错密度不断下降;亚晶粒尺寸D逐渐增加;平均位错分布参量基本不变.由位错密度及位错分布参量计算得到NiTi薄膜材料的显微硬度值,随固溶时间的增加,显微硬度计算值明显低于测量值.
关键词:NiTi薄膜; 位错密度; X射线傅氏线形分析; 固溶处理;
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