氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜
来源期刊：功能材料2007年第10期
论文作者：秦丽霞 孙丽丽 庄惠照 陈金华 薛成山 张晓凯 艾玉杰 王福学
关键词：GaN; Ga2O3/In2O3; 氨化; 磁控溅射;
摘 要：研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.
秦丽霞1，孙丽丽1，庄惠照1，陈金华1，薛成山1，张晓凯1，艾玉杰1，王福学1
(1.山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014)
摘要:研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.
关键词:GaN; Ga2O3/In2O3; 氨化; 磁控溅射;
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